NGTB10N60R2DT4G دیتاشیت

NGTB10N60R2DT4G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NGTB10N60R2DT4G
حجم فایل 64.021 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NGTB10N60R2DT4G-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NGTB10N60R2DT4G 7 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi NGTB10N60R2DT4G
  • Package: TO-252
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Discontinued at Digi-Key
  • IGBT Type: -
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 600V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 20A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 40A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 10A
  • Power - Max: 72W
  • Switching Energy: 412µJ (on), 140µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 53nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 48ns/120ns
  • Test Condition: 300V, 10A, 30Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 90ns
  • Operating Temperature: 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • Supplier Device Package: DPAK
  • Base Part Number: NGTB10
  • detail: IGBT 600V 20A 72W Surface Mount DPAK

محصولات مشابه