FQPF47P06YDTU دیتاشیت

FQPF47P06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQPF47P06
حجم فایل 1153.346 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت FQPF47P06

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 26mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 110nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±25V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3600pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 62W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Base Part Number: FQPF4
  • detail: P-Channel 60V 30A (Tc) 62W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

محصولات مشابه