FGA6560WDF دیتاشیت

FGA6560WDF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FGA6560WDF
حجم فایل 2603.13 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

دانلود دیتاشیت FGA6560WDF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Package: TO-3P
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: Trench Field Stop
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 120A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 180A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.3V @ 15V, 60A
  • Power - Max: 306W
  • Switching Energy: 2.46mJ (on), 520µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 84nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 25.6ns/71ns
  • Test Condition: 400V, 60A, 6Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 110ns
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • Supplier Device Package: TO-3PN
  • Base Part Number: FGA65
  • detail: IGBT Trench Field Stop 650V 120A 306W Through Hole TO-3PN

محصولات مشابه