FGA50N100BNTD2 دیتاشیت

FGA50N100BNTD2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FGA50N100BNTD2
حجم فایل 466.562 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 11

مشاهده دیتاشیت FGA50N100BNTD2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi FGA50N100BNTD2
  • Package: TO-3P
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: NPT and Trench
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1000V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 50A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.9V @ 15V, 60A
  • Power - Max: 156W
  • Switching Energy: -
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 257nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 34ns/243ns
  • Test Condition: 600V, 60A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 75ns
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • Supplier Device Package: TO-3P
  • Base Part Number: FGA50
  • detail: IGBT NPT and Trench 1000V 50A 156W Through Hole TO-3P

محصولات مشابه