FCP25N60N-F102 دیتاشیت

FCP25N60N-F102

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FCP25N60N-F102
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت FCP25N60N-F102-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FCP25N60N_F102 10 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FCP25N60N-F102
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 216W
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 74nC@10V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 600V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 3.352nF@100V
  • Continuous Drain Current (Id): 25A
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 4V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 3.2pF@100V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 107mΩ@10V,12.5A
  • Package: TO-220

محصولات مشابه