NTD20N06-001 دیتاشیت

NTD20N06

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTD20N06
حجم فایل 143.535 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTD20N06

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 60V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 46mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 30nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1015pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1.88W (Ta), 60W (Tj)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: NTD20
  • detail: N-Channel 60V 20A (Ta) 1.88W (Ta), 60W (Tj) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه