MTP10N10ELG دیتاشیت

MTP10N10EL

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MTP10N10EL
حجم فایل 105.383 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت MTP10N10EL

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 220mOhm @ 5A, 5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1040pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1.75W (Ta), 40W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • Base Part Number: MTP10
  • detail: N-Channel 100V 10A (Tc) 1.75W (Ta), 40W (Tc) Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه