KSD261CYBU دیتاشیت

KSD261CYBU

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت KSD261CYBU
حجم فایل 41.392 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

دانلود دیتاشیت KSD261CYBU

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

KSD261 7 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max): 500mA
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 20V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 400mV @ 50mA, 500mA
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 120 @ 100mA, 1V
  • Power - Max: 500mW
  • Frequency - Transition: -
  • Operating Temperature: 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Base Part Number: KSD261
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 20V 500mA 500mW Through Hole TO-92-3

محصولات مشابه