SSN1N45BBU دیتاشیت

SSN1N45B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت SSN1N45B
حجم فایل 657.267 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت SSN1N45B

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Bulk
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 450V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 500mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.25Ohm @ 250mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 8.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±50V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 240pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 900mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA)
  • Base Part Number: SSN1N
  • detail: N-Channel 450V 500mA (Tc) 900mW (Ta) Through Hole TO-92-3

محصولات مشابه