FQPF3N80CYDTU دیتاشیت

FQP3N80C, FQPF3N80C

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FQP3N80C, FQPF3N80C
حجم فایل 907.849 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 12

مشاهده دیتاشیت FQP3N80C, FQPF3N80C

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: QFET®
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 800V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.8Ohm @ 1.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 705pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 39W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220F-3 (Y-Forming)
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Formed Leads
  • Base Part Number: FQPF3
  • detail: N-Channel 800V 3A (Tc) 39W (Tc) Through Hole TO-220F-3 (Y-Forming)

محصولات مشابه