onsemi MJD3055TF دیتاشیت

MJD3055TF

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MJD3055TF
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت MJD3055TF

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Transistors/Thyristors/Bipolar (BJT)
  • Datasheet: onsemi MJD3055TF
  • Transistor Type: NPN
  • Operating Temperature: -
  • Collector Current (Ic): 10A
  • Power Dissipation (Pd): 1.75W
  • Transition Frequency (fT): 2MHz
  • DC Current Gain (hFE@Ic,Vce): 20@4A,4V
  • Collector Cut-Off Current (Icbo): 2mA
  • Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vceo): 60V
  • Collector-Emitter Saturation Voltage (VCE(sat)@Ic,Ib): 8V@10A,3.3A
  • Package: TO-252-2(DPAK)

محصولات مشابه