NTY100N10G دیتاشیت

NTY100N10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTY100N10
حجم فایل 161.108 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NTY100N10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 123A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 10mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 350nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 10110pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 313W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-264
  • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
  • Base Part Number: NTY100
  • detail: N-Channel 100V 123A (Tc) 313W (Tc) Through Hole TO-264

محصولات مشابه