NTR3162PT3G دیتاشیت

NTR3162P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTR3162P
حجم فایل 286.882 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NTR3162P-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 20V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.2A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.5V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 70mOhm @ 2.2A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 1V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 10.3nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±8V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 940pF @ 10V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 480mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: SOT-23-3 (TO-236)
  • Package / Case: TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
  • Base Part Number: NTR316
  • detail: P-Channel 20V 2.2A (Ta) 480mW (Ta) Surface Mount SOT-23-3 (TO-236)

محصولات مشابه