NTLJS1102PTBG دیتاشیت

NTLJS1102P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTLJS1102P
حجم فایل 122.134 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت NTLJS1102P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 8V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 3.7A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 1.2V, 4.5V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 36mOhm @ 6.2A, 4.5V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 720mV @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 25nC @ 4.5V
  • Vgs (Max): ±6V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1585pF @ 4V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 700mW (Ta)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: 6-WDFN (2x2)
  • Package / Case: 6-WDFN Exposed Pad
  • Base Part Number: NTLJS11
  • detail: P-Channel 8V 3.7A (Ta) 700mW (Ta) Surface Mount 6-WDFN (2x2)

محصولات مشابه