MPS6601RLRAG دیتاشیت

MPS6601,02,51,52

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت MPS6601,02,51,52
حجم فایل 88.426 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت MPS6601,02,51,52

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Cut Tape (CT)
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max): 1A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 25V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 600mV @ 100mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 50 @ 500mA, 1V
  • Power - Max: 625mW
  • Frequency - Transition: 100MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) (Formed Leads)
  • Supplier Device Package: TO-92-3
  • Base Part Number: MPS660
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 25V 1A 100MHz 625mW Through Hole TO-92-3