NJX1675PDR2G دیتاشیت

NJX1675PDR2G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NJX1675PDR2G
حجم فایل 390.139 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت NJX1675PDR2G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN, PNP
  • Current - Collector (Ic) (Max): 3A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 30V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 115mV @ 200mA, 2A, 170mV @ 200mA, 2A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100nA (ICBO)
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 180 @ 1A, 2V
  • Power - Max: 2W
  • Frequency - Transition: 100MHz, 120MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Supplier Device Package: 8-SOIC
  • Base Part Number: NJX16
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor Array NPN, PNP 30V 3A 100MHz, 120MHz 2W Surface Mount 8-SOIC

محصولات مشابه