NDD03N60Z-1G دیتاشیت

NDx03N60Z

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NDx03N60Z
حجم فایل 145.568 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NDx03N60Z

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 2.6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.6Ohm @ 1.2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 61W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: I-PAK
  • Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
  • Base Part Number: NDD03
  • detail: N-Channel 600V 2.6A (Tc) 61W (Tc) Through Hole I-PAK

محصولات مشابه