NTMD6601NR2G دیتاشیت

NTMD6601NR2G

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NTMD6601NR2G
حجم فایل 103.085 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت NTMD6601NR2G

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NTMD6601NR2G 6 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: 2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature: Logic Level Gate
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 80V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.1A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 215mOhm @ 2.2A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 400pF @ 25V
  • Power - Max: 600mW
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width)
  • Supplier Device Package: 8-SOIC
  • Base Part Number: NTMD66
  • detail: Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 80V 1.1A 600mW Surface Mount 8-SOIC

محصولات مشابه