FJP2160DTU دیتاشیت

FJP2160D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FJP2160D
حجم فایل 878.464 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 14

مشاهده دیتاشیت FJP2160D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: ESBC™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • Transistor Type: NPN
  • Current - Collector (Ic) (Max): 2A
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 800V
  • Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic: 750mV @ 330mA, 1A
  • Current - Collector Cutoff (Max): 100µA
  • DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce: 20 @ 400mA, 3V
  • Power - Max: 100W
  • Frequency - Transition: 5MHz
  • Operating Temperature: -55°C ~ 125°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-220-3
  • Supplier Device Package: TO-220-3
  • Base Part Number: FJP216
  • detail: Bipolar (BJT) Transistor NPN 800V 2A 5MHz 100W Through Hole TO-220-3

محصولات مشابه