FDY302NZ دیتاشیت

FDY302NZ

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FDY302NZ
حجم فایل 70.016 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 8

مشاهده دیتاشیت FDY302NZ

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

FDY302NZ 8 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Type: 1 N-channel
  • Category: Transistors/Thyristors/MOSFETs
  • Datasheet: onsemi FDY302NZ
  • Operating Temperature: -55°C~+150°C@(Tj)
  • Power Dissipation (Pd): 625mW
  • Total Gate Charge (Qg@Vgs): 1.1nC@4.5V
  • Drain Source Voltage (Vdss): 20V
  • Input Capacitance (Ciss@Vds): 60pF@10V
  • Continuous Drain Current (Id): 600mA
  • Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id): 1.5V@250uA
  • Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds): 10pF@10V
  • Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id): 240mΩ@4.5V,600mA
  • Package: SC-89-3

محصولات مشابه