NDBA100N10BT4H دیتاشیت

NDBA100N10B

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NDBA100N10B
حجم فایل 665.394 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت NDBA100N10B-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Obsolete
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Ta)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, 15V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 6.9mOhm @ 50A, 15V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2950pF @ 50V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 110W (Tc)
  • Operating Temperature: 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: D²PAK (TO-263)
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • Base Part Number: NDBA10
  • detail: N-Channel 100V 100A (Ta) 110W (Tc) Surface Mount D²PAK (TO-263)

محصولات مشابه