NGTB50N65S1WG دیتاشیت

NGTB50N65S1WG

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NGTB50N65S1WG
حجم فایل 157.621 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 10

مشاهده دیتاشیت NGTB50N65S1WG-Isee

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: ON Semiconductor
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Obsolete
  • IGBT Type: Trench
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650V
  • Current - Collector (Ic) (Max): 140A
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 140A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.45V @ 15V, 50A
  • Power - Max: 300W
  • Switching Energy: 1.25mJ (on), 530µJ (off)
  • Input Type: Standard
  • Gate Charge: 128nC
  • Td (on/off) @ 25°C: 75ns/128ns
  • Test Condition: 400V, 50A, 10Ohm, 15V
  • Reverse Recovery Time (trr): 70ns
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: TO-247-3
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Base Part Number: NGTB50
  • detail: IGBT Trench 650V 140A 300W Through Hole TO-247

محصولات مشابه