NGTD30T120F2 دیتاشیت

NGTD30T120F2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت NGTD30T120F2
حجم فایل 356.575 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 3

مشاهده دیتاشیت NGTD30T120F2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

NGTD30T120F2WP 3 pages

مشخصات فنی

  • RoHS: true
  • Category: Triode/MOS Tube/Transistor/IGBTs
  • Datasheet: onsemi NGTD30T120F2SWK
  • Package: SMD
  • Manufacturer: onsemi
  • Series: -
  • Packaging: Tape & Reel (TR)
  • Part Status: Active
  • IGBT Type: Trench Field Stop
  • Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200V
  • Current - Collector Pulsed (Icm): 200A
  • Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.4V @ 15V, 40A
  • Switching Energy: -
  • Input Type: Standard
  • Td (on/off) @ 25°C: -
  • Test Condition: -
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Package / Case: Die
  • Supplier Device Package: Die
  • Base Part Number: NGTD30
  • detail: IGBT Trench Field Stop 1200V Surface Mount Die

محصولات مشابه