IXTN660N04T4 دیتاشیت

IXTN660N04T4

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTN660N04T4
حجم فایل 182.543 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXTN660N04T4

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

Trench4 Power MOSFETs Product Brief 3 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: TrenchT4™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 40V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 660A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 0.85mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 860nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±15V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 44000pF @ 25V
  • FET Feature: Current Sensing
  • Power Dissipation (Max): 1040W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 40V 660A (Tc) 1040W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه