IXTK5N250 دیتاشیت

IXTx5N250

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTx5N250
حجم فایل 130.776 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXTx5N250

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 2500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 5A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 8.8Ohm @ 2.5A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 200nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8560pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-264 (IXTK)
  • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
  • detail: N-Channel 2500V 5A (Tc) 960W (Tc) Through Hole TO-264 (IXTK)

محصولات مشابه