IXTN22N100L دیتاشیت

IXTN22N100L

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTN22N100L
حجم فایل 158.39 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXTN22N100L

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 600mOhm @ 11A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 270nC @ 15V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 7050pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 700W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 1000V 22A (Tc) 700W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه