IXFH22N50P دیتاشیت

IXFH22N50P, IXFV22N50P/PS

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFH22N50P, IXFV22N50P/PS
حجم فایل 320.469 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت IXFH22N50P, IXFV22N50P/PS

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™, PolarHT™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 270mOhm @ 11A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 2.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 50nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2630pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 350W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247AD (IXFH)
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 500V 22A (Tc) 350W (Tc) Through Hole TO-247AD (IXFH)