IXFL38N100Q2 دیتاشیت

IXFL38N100Q2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFL38N100Q2
حجم فایل 190.219 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXFL38N100Q2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Not For New Designs
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 29A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 280mOhm @ 19A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 250nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 380W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISOPLUS264™
  • Package / Case: ISOPLUS264™
  • detail: N-Channel 1000V 29A (Tc) 380W (Tc) Through Hole ISOPLUS264™

محصولات مشابه