IXTP08N50D2 دیتاشیت

IXT(Y,A,P)08N50D2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(Y,A,P)08N50D2
حجم فایل 182.013 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXT(Y,A,P)08N50D2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 800mA (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 4.6Ohm @ 400mA, 0V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12.7nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 312pF @ 25V
  • FET Feature: Depletion Mode
  • Power Dissipation (Max): 60W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • detail: N-Channel 500V 800mA (Tc) 60W (Tc) Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه