IXFB100N50Q3 دیتاشیت

IXFB100N50Q3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFB100N50Q3
حجم فایل 152.825 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXFB100N50Q3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IXFB100N50Q3 7 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 100A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 49mOhm @ 50A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 255nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13800pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1560W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: PLUS264™
  • Package / Case: TO-264-3, TO-264AA
  • detail: N-Channel 500V 100A (Tc) 1560W (Tc) Through Hole PLUS264™

محصولات مشابه