IXTH130N20T دیتاشیت

IXTH130N20T

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTH130N20T
حجم فایل 182.428 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXTH130N20T

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: TrenchHV™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 130A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 16mOhm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 1mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8800pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 830W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 200V 130A (Tc) 830W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

محصولات مشابه