IXFN50N120SK دیتاشیت

IXFN50N120SK

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFN50N120SK
حجم فایل 213.577 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 4

مشاهده دیتاشیت IXFN50N120SK

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 48A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.8V @ 10mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 115nC @ 20V
  • Vgs (Max): +20V, -5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1895pF @ 1000V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): -
  • Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 1200V 48A (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه