IXFN50N120SIC دیتاشیت

IXFN50N120SIC

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFN50N120SIC
حجم فایل 478.27 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXFN50N120SIC

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: SiCFET (Silicon Carbide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 47A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 20V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 40A, 20V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 2.2V @ 2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 100nC @ 20V
  • Vgs (Max): +20V, -5V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1900pF @ 1000V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): -
  • Operating Temperature: -40°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 1200V 47A (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه