IXTP24N65X2M دیتاشیت

IXT(A,P,H)24N65X2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(A,P,H)24N65X2
حجم فایل 295.496 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXT(A,P,H)24N65X2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 24A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 145mOhm @ 12A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 36nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2060pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 390W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220AB
  • Package / Case: TO-220-3
  • detail: N-Channel 650V 24A (Tc) 390W (Tc) Through Hole TO-220AB

محصولات مشابه