IXTY1R4N120PHV دیتاشیت

IXT(Y,A,P)1R4N120P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(Y,A,P)1R4N120P
حجم فایل 371.661 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXT(Y,A,P)1R4N120P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: Polar™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1.4A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 13Ohm @ 700mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 100µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24.8nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 666pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 86W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-252
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • detail: N-Channel 1200V 1.4A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount TO-252

محصولات مشابه