IXTY1N100P دیتاشیت

IXT(A,P,Y)1N100P

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(A,P,Y)1N100P
حجم فایل 303.95 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت IXT(A,P,Y)1N100P

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: Polar™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 15Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 50µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 15.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 331pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 50W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-252, (D-Pak)
  • Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
  • detail: N-Channel 1000V 1A (Tc) 50W (Tc) Surface Mount TO-252, (D-Pak)

محصولات مشابه