IXFN82N60Q3 دیتاشیت

IXFN82N60Q3

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFN82N60Q3
حجم فایل 133.87 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

دانلود دیتاشیت IXFN82N60Q3

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

IXFN82N60Q3 7 pages

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 66A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 41A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 6.5V @ 8mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 275nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 13500pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 960W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Chassis Mount
  • Supplier Device Package: SOT-227B
  • Package / Case: SOT-227-4, miniBLOC
  • detail: N-Channel 600V 66A (Tc) 960W (Tc) Chassis Mount SOT-227B

محصولات مشابه