IXTH1N200P3HV دیتاشیت

IXTx1N200P3(HV)

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTx1N200P3(HV)
حجم فایل 276.31 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

دانلود دیتاشیت IXTx1N200P3(HV)

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 2000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 1A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 40Ohm @ 500mA, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 23.5nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 646pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 125W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 2000V 1A (Tc) 125W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

محصولات مشابه