IXTH62N65X2 دیتاشیت

IXTH62N65X2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTH62N65X2
حجم فایل 170.313 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXTH62N65X2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 62A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 52mOhm @ 31A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 104nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5940pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 780W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 650V 62A (Tc) 780W (Tc) Through Hole TO-247

محصولات مشابه