IXTH6N50D2 دیتاشیت

IXT(A,P,H)6N50D2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(A,P,H)6N50D2
حجم فایل 190.671 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXT(A,P,H)6N50D2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 500V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 6A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): -
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 500mOhm @ 3A, 0V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: -
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 96nC @ 5V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 25V
  • FET Feature: Depletion Mode
  • Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 500V 6A (Tc) 300W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

محصولات مشابه