IXFP36N20X3M دیتاشیت

IXFP36N20X3M

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFP36N20X3M
حجم فایل 138.341 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت IXFP36N20X3M

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 200V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 36A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 45mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 500µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 21nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1425pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 36W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-220 Isolated Tab
  • Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab
  • detail: N-Channel 200V 36A (Tc) 36W (Tc) Through Hole TO-220 Isolated Tab

محصولات مشابه