IXFJ80N25X3 دیتاشیت

Semiconductor Catalog

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت Semiconductor Catalog
حجم فایل 11986.919 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 20

مشاهده دیتاشیت Semiconductor Catalog

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 44A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 18mOhm @ 40A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 1.5mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 83nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 5430pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 104W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: ISO TO-247-3
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 250V 44A (Tc) 104W (Tc) Through Hole ISO TO-247-3

محصولات مشابه