IXTH30N25 دیتاشیت

IXTH30N25

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTH30N25
حجم فایل 71.129 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 2

مشاهده دیتاشیت IXTH30N25

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 250V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 75mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 136nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3950pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 200W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247 (IXTH)
  • Package / Case: TO-247-3
  • detail: N-Channel 250V 30A (Tc) 200W (Tc) Through Hole TO-247 (IXTH)

محصولات مشابه