IXTT10N100D2 دیتاشیت

IXT(H,T)10N100D

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(H,T)10N100D
حجم فایل 306.751 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXT(H,T)10N100D

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 1000V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 10A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 1.4Ohm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 130nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2500pF @ 25V
  • FET Feature: Depletion Mode
  • Power Dissipation (Max): 400W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-268
  • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • detail: N-Channel 1000V 10A (Tc) 400W (Tc) Surface Mount TO-268

محصولات مشابه