IXFT320N10T2 دیتاشیت

IXFx320N10T2

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXFx320N10T2
حجم فایل 191.578 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXFx320N10T2

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 320A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.5mOhm @ 100A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 430nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 26000pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 1000W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-268
  • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • detail: N-Channel 100V 320A (Tc) 1000W (Tc) Surface Mount TO-268

محصولات مشابه