FMM110-015X2F دیتاشیت

FMM110-015X2F

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت FMM110-015X2F
حجم فایل 180.432 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 6

مشاهده دیتاشیت FMM110-015X2F

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: GigaMOS™, HiPerFET™, TrenchT2™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: 2 N-Channel (Dual)
  • FET Feature: Standard
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 150V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 53A
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 20mOhm @ 55A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 150nC @ 10V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 8600pF @ 25V
  • Power - Max: 180W
  • Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Package / Case: i4-Pac™-5
  • Supplier Device Package: ISOPLUS i4-PAC™
  • Base Part Number: FMM
  • detail: Mosfet Array 2 N-Channel (Dual) 150V 53A 180W Through Hole ISOPLUS i4-PAC™

محصولات مشابه