IXFQ30N60X دیتاشیت

IXF(T,Q,H)30N60X

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXF(T,Q,H)30N60X
حجم فایل 247.864 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXF(T,Q,H)30N60X

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: HiPerFET™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 155mOhm @ 15A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 4.5V @ 4mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 56nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2270pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 500W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-3P
  • Package / Case: TO-3P-3, SC-65-3
  • detail: N-Channel 600V 30A (Tc) 500W (Tc) Through Hole TO-3P

محصولات مشابه