IXTA20N65X دیتاشیت

IXTx20N65X

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXTx20N65X
حجم فایل 294.708 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 7

مشاهده دیتاشیت IXTx20N65X

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 650V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 210mOhm @ 10A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5.5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 35nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±30V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 1390pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 320W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-263 (IXTA)
  • Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
  • detail: N-Channel 650V 20A (Tc) 320W (Tc) Surface Mount TO-263 (IXTA)

محصولات مشابه