IXKH35N60C5 دیتاشیت

IXK(H,P)35N60C5

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXK(H,P)35N60C5
حجم فایل 153.122 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXK(H,P)35N60C5

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: CoolMOS™
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: N-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 600V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 35A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 18A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 3.9V @ 1.2mA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 70nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2800pF @ 100V
  • FET Feature: Super Junction
  • Power Dissipation (Max): -
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Through Hole
  • Supplier Device Package: TO-247AD (IXKH)
  • Package / Case: TO-3P-3 Full Pack
  • detail: N-Channel 600V 35A (Tc) Through Hole TO-247AD (IXKH)

محصولات مشابه