IXTT50P10 دیتاشیت

IXT(H,T)50P10

مشخصات دیتاشیت

نام دیتاشیت IXT(H,T)50P10
حجم فایل 123.774 کیلوبایت
نوع فایل pdf
تعداد صفحات 5

مشاهده دیتاشیت IXT(H,T)50P10

دانلود دیتاشیت

سایر مستندات

مستندات دیگری یافت نشد!

مشخصات فنی

  • Manufacturer: IXYS
  • Series: -
  • Packaging: Tube
  • Part Status: Active
  • FET Type: P-Channel
  • Technology: MOSFET (Metal Oxide)
  • Drain to Source Voltage (Vdss): 100V
  • Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 50A (Tc)
  • Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
  • Rds On (Max) @ Id, Vgs: 55mOhm @ 25A, 10V
  • Vgs(th) (Max) @ Id: 5V @ 250µA
  • Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 140nC @ 10V
  • Vgs (Max): ±20V
  • Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 4350pF @ 25V
  • FET Feature: -
  • Power Dissipation (Max): 300W (Tc)
  • Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
  • Mounting Type: Surface Mount
  • Supplier Device Package: TO-268
  • Package / Case: TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
  • detail: P-Channel 100V 50A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount TO-268

محصولات مشابه